| 品牌：Vishay | 型号：SI7469DP-T1-E3 | 封装：SO-8 |
| 批号：2022+ | 系列：SI7 | 数量：10000 |
| 制造商：Vishay | 产品种类：MOSFET | RoHS：是 |
| 技术：Si | 安装风格：SMD/SMT | 封装/箱体：PowerPAK-SO-8 |
| 晶体管极性：P-Channel | 通道数量：1Channel | Vds-漏源极击穿电压：80V |
| Id-连续漏极电流：28A | RdsOn-漏源导通电阻：29mOhms | Vgs-栅极-源极电压：-20V,+20V |
| Vgsth-栅源极阈值电压：3V | Qg-栅极电荷：160nC | 最小工作温度：-55C |
| 最大工作温度：+150C | Pd-功率耗散：83W | 通道模式：Enhancement |
| 商标名：TrenchFET | 配置：Single | 高度：1.04mm |
| 长度：6.15mm | 宽度：5.15mm | 商标：VishaySemiconductors |
| 产品类型：MOSFET | 工厂包装数量：3000 | 子类别：MOSFETs |
| 单位重量：506.600mg |
